半導(dǎo)體電阻率測(cè)試儀

半導(dǎo)體電阻率測(cè)試儀/電阻率測(cè)試儀/半導(dǎo)體電阻率測(cè)定儀(含探頭和測(cè)試架）　型號(hào)：HHY8-BD-86A

HHY8-BD-86A型半導(dǎo)體電阻率測(cè)試儀是我廠推出的的普及型半導(dǎo)體電阻率測(cè)試儀器，本儀器是根據(jù)四探針原理，適合半導(dǎo)體器材廠，材料廠用于測(cè)量半導(dǎo)體材料（片狀、棒狀）的體電阻率，方塊電阻（簿層電阻），也可以用作測(cè)量金屬薄層電阻，經(jīng)過(guò)對(duì)用戶、半導(dǎo)體廠測(cè)試的調(diào)查，根據(jù)美國(guó)ASTM標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定，在電路和探頭方面作了重大的修改和技術(shù)上的許多突破，它更適合于半導(dǎo)體器材廠工藝檢測(cè)方面對(duì)中值、高阻硅、鍺材料方塊電阻和體電阻率的測(cè)量需要，成為普及型的電阻率測(cè)試儀，具有測(cè)量精度高，穩(wěn)定性好，輸入阻抗高，使用方便、價(jià)格低廉等特點(diǎn)。

   儀器主要技術(shù)指標(biāo)：

1．  測(cè)量范圍：電阻率10-3—103Ω-cm，分辯率為 10-4Ω-cm ，可擴(kuò)展到105Ω-cm

  方塊電阻10-2—104Ω/□，分辯率為10-3Ω/□，可擴(kuò)展到106Ω/□

薄層金屬電阻10-4—105Ω，分辯率為10-4Ω

2.可測(cè)半導(dǎo)體材料尺寸：直徑Φ15—Φ125mm；  長(zhǎng)度：150mm(可擴(kuò)展500mm)

     3.測(cè)量方式：軸向、斷面均可

4．?dāng)?shù)字電壓表：（1）量程：20mV(分辯率：10μV)、200mV、2V

             （2）測(cè)量誤差：±0.3%讀數(shù)±1字

             （3）輸入阻抗：大于108Ω

             （4）顯示3 1/2 位紅色發(fā)光二極管（LED）數(shù)字顯示

                  0---1999具有極性、過(guò)載、小數(shù)點(diǎn)、單位自動(dòng)顯示

5．恒流源：由交流供電，具有良好的防泄漏隔離功能

（1）       直流電流：0—100mA連續(xù)可調(diào)

（2）       量程：10μA、100μA、1mA、10mA、100mA

（3）       分辯率：10nA、0.1μA、1μA、10μA、0.1mA

（4）       電流誤差：±0.3%讀數(shù)±2字

6．電性能模擬考核誤差：<±0.3%符合ASTM指標(biāo)

7．測(cè)試探頭：（1）探針機(jī)械游移率：± 0.3% 符合ASTM 指標(biāo)

8．電源：交流220V±10%   50HZ或60HZ  功率消耗< 30W

9．電氣箱外形尺寸：119×440×320mm